机译:通过基于水性前体的简便图案形成的溶液处理的高迁移率钕取代的氧化铟铟薄膜晶体管
机译:溶液处理的n沟道有机薄膜晶体管中电子迁移率高达27.8 cm〜2 V〜(-1)s〜(-1)的卤代四氮杂戊并烷
机译:电子迁移率超过10 cm(2)V-1 s(-1),并在溶液处理的n沟道有机薄膜晶体管中实现带状电荷传输。
机译:具有旋涂锌氧化锡有源层和氧化铟锌源/漏电极的固溶处理氧化物薄膜晶体管
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:用于高迁移率溶液处理的金属氧化物薄膜晶体管的频率稳定离子型混合栅极电介质
机译:基于溶液处理的半导体金属氧化物异质结和拟超晶格的高电子迁移率薄膜晶体管